Für eine oberflächenempfindliche chemische Analyse unterstützt Sie unsere röntgenangeregte Photoelektronenspektroskopie. Die Methode eignet sich für eine zerstörungsfreie (Tiefen-)Analyse bis hinunter zu 10 nm. Untersucht werden in erster Linie halbleitende und metallische Materialien sowie deren Oxide. Die Probenpräparation von organischen und metallischen Dünnschichtsystemen unter Ultrahochvakuumbedingungen ist ebenfalls möglich und Teil der Dienstleistung.
| Analyse (Elemente ab Li oder höher) der Elementzusammensetzung und deren detaillierten chemischen Bindungszuständen |
| Erstellung eines Tiefenprofiles der Elementzusammensetzung durch wiederholtes Sputtern bis hinunter zu 500 nm |
| Zerstörungsfreie Analyse von Schichtstrukturen mittels winkelabhängiger XPS bis hinunter zu 10 nm (besonders geeignet für natürliche Oxidschichten) |
| Valenzzustandsanalyse an nicht aufladenden Proben mit Helium-Gasentladungslampe |
| Dünnschichtpräparation von metallischen (DC-Sputtern) oder organischen (Sublimation) Dünnschichten unter Ultrahochvakuumbedingungen in separaten Präparationskammern |
